Транзистор MOSFET IRF510N (n-канал)

Как и все современные мощные МОП-транзисторы IR, IRF510 обла��ает хорошей максимально допустимой производительностью. Он способен выдерживать большие нагрузки, приближающиеся к предельным значениям.

Спецификация IRF510:

• Напряжение между контактами стока и истока (VDS) — 100 В;
• Рекомендуемый ток стока (ID):
  • при температуре C до + 25 OС — 5,6 А;
  • при температуре C до +100OС — 4,0 А;
  • Пульсирующий ток стока (IDM) — 20 А;
  • пиковый ток в условиях лавины (IAR) — 6 А;
• В открытом состоянии сопротивление RDS(ON) достигает 0,54 Ом;
• Напряжение затвор-исток (VGS) ±20 В;
• Энергия повторяющейся лавины (EAR) — 4,3 мДж;
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD) - 43 Вт;
• Пиковое восстановление диода dV/dt c (dV/dt) — 5,5 В/нс;
• Диапазон рабочих температур и температур хранения (TJ, Tstg) — от -55 до +175 °C;