Транзистор MOSFET IRF520N (n-канал)

IRF520 — это силовой МОП-транзистор с N-каналом, который в основном ��спользуется для переключения и усиления. Его напряжение пробоя составляет около 100 В, а низкое пороговое напряжение затвора — 4 В, что делает его идеальным выбором для микроконтроллеров.

• IRF520 — это силовой МОП-транзистор с N-каналом, который в основном используется для переключения и усиления сигнала.
• Он имеет три вывода: затвор, исток и сток и выпускается в корпусе TO-220.
• Важно отметить, что вывод затвора электрически изолирован и не пропускает ток. Обычно он называется изолированным выводом затвора (IG-FET).
• Поскольку это N-канальный МОП-транзистор, основными носителями заряда здесь являются электроны, в отличие от P-канального МОП-транзистора, где основными носителями являются дырки.
• Движение электронов лучше, чем движение дырок, поэтому N-канальный МОП-транзистор лучше, чем P-канальный МОП-транзистор.
• Благодаря лучшему перемещению электронов N-канальные МОП-транзисторы при высоких нагрузках остаются холодными, в то время как P-канальные МОП-транзисторы нагреваются при высоких нагрузках.
• Основные носители заряда, то есть электроны, входят в канал через вывод истока, а выходят из канала через вывод стока. Вывод затвора управляет смещением этого МОП-транзистора.
• Этот полевой МОП-транзистор с N-каналом имеет низкое сопротивление в открытом состоянии — около 0,27 Ом, что позволяет ему рассеивать меньше энергии в виде тепла и, следовательно, повышает эффективность устройства.
• IRF520 имеет низкое пороговое напряжение около 4 В, благодаря чему его можно включить с помощью 5 В на выводах GPIO микроконтроллера.
• Этот чип обладает достаточной скоростью переключения, что делает его идеальным выбором для схем преобразователей постоянного тока.
• Постоянный ток стока (ID) этого устройства составляет 9,2 А, а напряжение пробоя между стоком и истоком — 100 В. Время нарастания составляет 30 нс, а время спада — 20 нс.